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技术支持
简述IGBT
发布者 : admin 发布时间 : 2020/06/10 10:06:23


NTC热敏芯片因其电阻值随温度变化而变化的特点,被广泛应用于温度监测、温度控制、温度补偿等各种场合,在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中担任举足轻重的角色。IGBT因其具备高输入阻抗、低导通压降的优点,目前已成为发展迅速的电力电子器件之一,并逐步替代晶体闸流管和门极可关断晶闸管Gate-Turn-Off Thyristor)。IGBT具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,被广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。


IGBT是由栅极(G)、发射极(E)和集电极(C)三个极控制。其工作原理是通过加正向栅极电压以形成沟道,给PNP(Plug-and-Play,即插即用)晶体管提供基极电流,使IGBT导通;反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。如果IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET,Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor)便会导通,而PNP晶体管的集电极与基极之间成为低阻状态,使得晶体管导通。如果IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,金属氧化物半导体场效应晶体管便会导通便会被截,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。


如果IGBT栅极与发射极之间的驱动电压过低,会导致IGBT工作不稳定;如果驱动电压过高,甚至超过栅极—发射极之间的耐压,则有机会导致IGBT永久损坏。同样,如果IGBT集电极与发射极之间的电压超过允许值,则流过IGBT的电流会超限,导致IGBT的结温超过允许值,也会有机会导致IGBT永久损坏。此时,我们就需要用到指针式万用表来判断IGBT是否受损。具体的操作如下:


首先,将万用表拨到R×10KΩ档(R×1KΩ档时,内部电压过低,不足以使IGBT导通),用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位;


然后,用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针明显摆动并指向阻值较小的方向并能维持在某一位置;


接着,再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。


在检测中,如出现以上现象均表示IGBT并无受损,否则该IGBT存在问题。


广东爱晟电子科技有限公司生产的IGBT用高可靠NTC热敏芯片,因其耐高温、高精度(精度可达±0.5%、±1%、±2%、±3%)、快速反应等特点,在IGBT模块中起到不可或缺的作用。






参考数据:


微信公众号 电子电路设计《IGBT场效应管的工作原理以及极性判断、好坏判断方法》